[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201780028371.2 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN109075040B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 原岛正幸;小林洋克 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一个实施方式的成膜装置中,旋转台与旋转轴连接。旋转台收容于基座的内部空间中。旋转台在相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列的多个载置区域中保持被加工物,并且使该被加工物绕中心轴线旋转。在基座内从旋转台的外侧起形成沿着与中心轴线正交的一个方向的气体的流动。基座被加热机构加热。基座的与旋转台的下表面相面对的一个壁部包括由比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最小距离大的第一圆和比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最大距离小的第二圆规定出的中间区域,并且在该中间区域中形成有一个以上的贯通孔。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,具备:旋转轴;旋转台,其设置于所述旋转轴上,并且固定于该旋转轴,所述旋转台构成为在相对于所述旋转轴的中心轴线沿周向排列的多个载置区域中保持多个被加工物;基座,其构成为:提供沿着与平行于所述中心轴线的第一方向正交的第二方向来彼此相对的第一开口和第二开口,并且在该第一开口与该第二开口之间提供内部空间,将所述旋转台收容于该内部空间中;气体供给机构,其构成为形成从所述第一开口经由所述内部空间朝向所述第二开口的气体的流动;容器,其收容所述基座;以及加热机构,其构成为设置于所述容器的周围,并且对所述基座进行加热,其中,所述基座包括彼此相对的第一壁部和第二壁部,所述旋转台设置于所述第一壁部与所述第二壁部之间,所述第一壁部与所述多个载置区域相面对,在所述第二壁部形成有供所述旋转轴通过的第一贯通孔,所述第二壁部包括由相对于所述中心轴线具有第一半径的第一圆和相对于该中心轴线具有比该第一半径大的第二半径的第二圆规定出的中间区域,该第一半径比所述中心轴线与所述多个载置区域的各个载置区域之间的最小距离大,该第二半径比所述中心轴线与所述多个载置区域的各个载置区域之间的最大距离小,在所述中间区域形成有一个以上的第二贯通孔。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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