[发明专利]激光退火方法及激光退火装置在审
| 申请号： | 201780026141.2 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109075042A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 若林直木 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光退火方法及激光退火装置。准备在一个表面的表层部注入有形成被激活后作为施主而发挥作用的复合缺陷的元素的硅晶片。向硅晶片的注入有元素的表面即激光照射面照射690nm以上且950nm以下范围内的波长的脉冲激光束从而使元素激活。在使元素激活时，向硅晶片照射脉冲宽度及脉冲能量密度满足激光照射面不会被熔融且从表面至深度40μm为止的范围中的至少一部分区域的元素被激活的条件的脉冲激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶片 激光退火装置 激光照射面 脉冲激光束 激光退火 元素激活 照射 激活 复合缺陷 脉冲能量 波长 脉冲 熔融 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火方法，其特征在于，具有如下工序：准备在一个表面的表层部注入有形成被激活后作为施主而发挥作用的复合缺陷的元素的硅晶片的工序；及向所述硅晶片的注入有所述元素的表面即激光照射面照射690nm以上且950nm以下范围内的波长的脉冲激光束从而使所述元素激活的工序，在使所述元素激活的工序中，向所述硅晶片照射脉冲宽度及脉冲能量密度满足所述激光照射面不会被熔融且从表面至深度40μm为止的范围中的至少一部分区域的所述元素被激活的条件的所述脉冲激光束。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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