[发明专利]边缘发射的半导体激光器有效
| 申请号： | 201780023769.7 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109075529B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 贝恩哈德·施托耶茨;格奥尔格·布吕德尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/323;H01S5/22;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生辐射的有源区(22)。电的接触接片(3)处于半导体层序列(2)的上侧(20)上。接触接片(3)仅在一个电接触区域(30)中施加在上侧(20)上或仅在该接触区域(30)中与上侧(20)电接触。有源区(22)仅局部地被通电。接触接片(3)包括多个金属层(31‑35)，所述金属层彼此上下堆叠地设置。金属层(31‑35)中的至少一个设有结构化部(4)，使得所述金属层仅部分地覆盖接触区域(30)和具有至少一个开口(41)和/或中断部(42)。通过结构化部(4)由于金属层(31‑35)和/或半导体层序列(2)的不同的热膨胀系数减小半导体层序列(2)和/或接触接片(3)的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种边缘发射的半导体激光器(1)，其具有‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生辐射的有源区(22)，和‑电的接触接片(3)，所述接触接片处于所述半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中‑所述接触接片(3)仅在一个电接触区域(30)中施加在所述上侧(20)上或仅在所述接触区域(30)中与所述上侧(20)电接触，使得所述有源区(22)在运行时仅局部地被通电，‑所述接触接片(3)包括多个金属层(31‑35)，所述金属层至少部分地彼此上下堆叠地设置，‑所述金属层(31‑35)中的至少一个金属层设有结构化部(4)，使得该至少一个金属层(31‑35)仅部分地覆盖所述接触区域(30)和具有至少一个开口(41)和/或中断部(42)，并且‑通过所述结构化部(4)由于所述金属层(31‑35)的不同的热膨胀系数减小所述半导体层序列(2)的应力。
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