[发明专利]边缘发射的半导体激光器

权利要求书

1.一种边缘发射的半导体激光器(1)，其具有

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生辐射的有源区(22)，和

-电的接触接片(3)，所述接触接片处于所述半导体层序列(2)的上侧(20)上，

其中

-所述接触接片(3)仅在一个电接触区域(30)中施加在所述上侧(20)上或仅在所述接触区域(30)中与所述上侧(20)电接触，使得所述有源区(22)在运行时仅局部地被通电，

-所述接触接片(3)包括多个金属层(31-35)，所述金属层至少部分地彼此上下堆叠地设置，

-所述金属层(31-35)中的至少一个金属层设有结构化部(4)，使得该至少一个金属层(31-35)仅部分地覆盖所述接触区域(30)和具有至少一个开口(41)和/或中断部(42)，

-通过所述结构化部(4)由于所述金属层(31-35)的不同的热膨胀系数减小所述半导体层序列(2)的应力，并且

-所述金属层中的直接处于所述上侧(20)上的第一金属层(31)和所述接触接片(3)的距所述半导体层序列(2)最远的金属层(34，35)分别是贯通的未结构化的层，所述贯通的未结构化的层在所述接触区域(30)中完全地遮盖所述上侧(20)。

2.根据上一项权利要求所述的半导体激光器(1)，其中

-所述半导体层序列(2)具有脊波导(5)，所述脊波导通过其几何形状设计用于将在所述有源区(22)的区域中要产生的激光辐射进行波导，

-所述半导体层序列(2)基于材料体系AlInGaN，

-设有所述结构化部(4)的所述至少一个金属层(31-35)沿着所述接触区域(30)的纵向扩展(L)以及横向扩展(B)的至少70％延伸，和

-设有所述结构化部(4)的所述至少一个金属层(31-35)覆盖所述接触区域(30)的至少40％和最高95％。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中刚好一个设有所述结构化部(4)的所述金属层(31-35)用于横向电流限制，使得仅穿过所述金属层(31-35)的电流馈入所述半导体层序列(2)中。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中穿过设有所述结构化部(4)的所述至少一个金属层(31-35)中的至少所述开口(41)和/或中断部(42)的电流馈入所述半导体层序列(2)中。

5.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中所述半导体激光器具有多个设有所述结构化部(4)的金属层(31-35)。

6.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中所述接触接片(3)具有刚好一个设有所述结构化部(4)的金属层(31-35)。

7.根据权利要求5所述的半导体激光器(1)，其中刚好两个设有所述结构化部(4)的所述金属层(31-35)的所述结构化部(4)具有横向地彼此伸展的主方向。

8.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中所述金属层(31-35)中的至少两个金属层设有所述结构化部(4)，其中所述金属层(31-35)在远离所述上侧(20)的方向上直接彼此相随并且通过所述金属层(31-35)对所述接触区域(30)的覆盖度在远离所述上侧(20)的方向上减小。

9.根据权利要求1或2所述的半导体激光器(1)，其中设有所述结构化部(4)的所述金属层(31-35)是具有最小热膨胀系数的金属层，

其中设有所述结构化部(4)的所述金属层(31-35)具有所述接触接片(3)的总厚度最高15％的厚度，并且其中所述金属层(31-35)的厚度至少为40nm并且最高为400nm。