[发明专利]外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201780023720.1 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109075039B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吉冈翔平 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 纪楠 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×10 |
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| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延晶片的制造方法，其特征在于，包括：准备工艺，其准备掺杂有磷的低电阻率硅单结晶基板；生长工艺，其在硅单结晶基板上，在1040℃以上且1130℃以下的温度下，以2μm/min以下的生长速度生长外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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