[发明专利]深紫外发光元件有效
| 申请号： | 201780023379.X | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN109314157B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 酒井遥人;丹羽纪隆;稻津哲彦;西里尔·佩罗 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;应风晔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 深紫外发光元件(10)具备光取出面(12b)、设置在光取出面(12b)上的n型半导体层、设置在n型半导体层上，带隙为3.4eV以上的活性层(20)、以及设置在活性层(20)上的p型半导体层。活性层(20)发出的深紫外光从光取出面(12b)输出到外部。活性层(20)的侧面(32)相对于n型半导体层和活性层(20)的界面(19)倾斜，该倾斜角为15度以上50度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外发光元件，其特征在于，包括：光取出面，n型半导体层，设置在上述光取出面上，活性层，设置在上述n型半导体层上，带隙为3.4eV以上，以及p型半导体层，设置在上述活性层上；上述活性层发出的深紫外光从上述光取出面输出到外部；上述活性层的侧面相对于上述n型半导体层与上述活性层的界面倾斜，其倾斜角为15度以上50度以下。
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