[发明专利]深紫外发光元件

权利要求书

1.一种深紫外发光元件，其特征在于，包括：

光取出面，

n型半导体层，设置在上述光取出面上，

n侧电极，设置在上述n型半导体层上的一部分区域，

活性层，设置在上述n型半导体层上的与上述一部区域不同的区域，带隙为3.4eV以上，以及

p型半导体层，设置在上述活性层上；

保护层，覆盖上述活性层的侧面，并且针对从上述活性层发出的深紫外光透明；

上述活性层发出的深紫外光从上述光取出面输出到外部；

上述活性层的侧面相对于上述n型半导体层与上述活性层的界面倾斜，其倾斜角为15度以上50度以下，

上述n型半导体层的侧面在从上述n型半导体层与上述n侧电极的界面到上述光取出面的范围内相对于上述n型半导体层与上述活性层的界面垂直。

2.如权利要求1所述的深紫外发光元件，其特征在于，

具备蓝宝石基板，该蓝宝石基板具有上述光取出面；

上述n型半导体层、上述活性层以及上述p型半导体层是AlGaN类的半导体层。

3.如权利要求1或2所述的深紫外发光元件，其特征在于，

所述保护层包含二氧化硅(SiO₂)，氧氮化硅(SiON)，氮化硅(SiN)，氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)。

4.如权利要求1或2所述的深紫外发光元件，其特征在于，

上述活性层的侧面的倾斜角θa使用上述活性层的折射率n₁而满足下式的关系。

5.如权利要求1或2所述的深紫外发光元件，其特征在于，

上述活性层的侧面的倾斜角是20度以上40度以下。