[发明专利]3维电容器结构

摘要

3维电容器结构基于沟槽网络，该沟槽网络从基板(100)的顶面(S100)蚀刻并形成分隔的柱(10)的规则阵列。3维电容器结构包括双电容器层堆叠，其在基板顶面处的柱(10)的顶面上，在沟槽侧壁上并且还在沟槽底部(S101)上连续地延伸。沟槽网络被局部修改以接触双电容器层堆叠的第二电极，同时确保在所述双电容器层堆叠的所述第二电极与第三电极之间不会发生不想要的短路。本发明提供了在高电容器密度与没有不想要的短路的确定性之间的改善的折衷。

主权项

1.一种3维电容器结构(200)，包括：‑基板(100)；‑沿垂直于所述基板(100)的顶面(S100)的深度方向(D)从所述基板(100)的顶面(S100)向下延伸至沟槽底部(S101)的沟槽网络，所述沟槽网络形成分隔的柱(10)的规则阵列，所述分隔的柱(10)的位置彼此分开，并且每个柱被平行于所述基板的顶面的闭环沟槽图案包围；‑双电容器层堆叠(C)，其作为一个单件在所述基板的顶面(S100)处的所述柱(10)的顶面上、在与所述深度方向(D)平行的沟槽侧壁上以及还在所述沟槽底部(S101)上连续地延伸，所述双电容器层堆叠从所述基板起包括：第一电极(1)、第一绝缘层(1i)、第二电极(2)、第二绝缘层(2i)和第三电极(3)；以及‑至少一个接触垫(20)，其沿所述深度方向(D)位于所述基板顶面(S100)上方，并且被布置成电接触所述第二电极(2)，其特征在于，满足以下特征：/i/所述沟槽网络通过以下措施在所述柱中的被称为接触支承柱(11)的至少一个柱方面相对于所述分隔的柱(10)的规则阵列不同：提供用于在紧邻所述接触支承柱的相邻柱(10n)之间的桥接的附加基板部分(12)，使得所述附加基板部分与所述相邻柱一起形成包围所述接触支承柱并具有所述基板的顶面(S100)中包括的平坦顶部(FT13)的闭环沟槽分隔部(13)；/ii/所述第一电极(1)、所述第一绝缘层(1i)和所述第二电极(2)跨所述闭环沟槽分隔部(13)的所述平坦顶部(FT13)、在位于所述接触支承柱(11)与所述闭环沟槽分隔部之间的分隔的闭环沟槽部分(14)内、以及还在位于所述闭环沟槽分隔部外部的其它沟槽部分内连续地延伸；/iii/所述闭环沟槽分隔部(13)的所述平坦顶部(FT13)至少沿着所述平坦顶部中包括并包围所述分隔的闭环沟槽部分(14)和所述接触支承柱(11)的闭环带(B)没有所述第三电极(3)，使得所述第三电极的被包括在所述分隔的闭环沟槽部分内的部分与所述第三电极的位于所述闭环带外部的另一部分隔离；以及/iv/所述接触垫(20)与至少在所述接触支承柱(11)的一部分上方的所述第二电极(2)电接触。