[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201780021237.X | 申请日： | 2017-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108886059A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史;越智元隆;北山巧;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 薄膜晶体管 保护层 原子数比 栅绝缘膜 保护膜 漏电极 迁移率 栅电极 氧化物 基板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，是在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由In、Ga、Sn和O所构成的氧化物构成，各金属元素的原子数比满足如下关系：0.30≤In/(In+Ga+Sn)≤0.500.19≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30、和0.24≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.45，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。
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