[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统有效
| 申请号： | 201780018536.8 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108886058B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王增强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 显示装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：栅电极，该栅电极配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，该源电极和漏电极配置为传输电信号；有源层，该有源层形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，该栅极绝缘层形成在所述栅电极和有源层之间，其中，所述有源层包括至少两种氧化物层，其包括层A和层B，并且其中，所述有源层满足以下条件(1)和条件(2)中的至少一个：条件(1)：所述有源层包括包含2个或更多个层A的3个或更多个氧化物层；和条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。
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