[发明专利]管理非易失性存储器中的阈值电压位移有效
| 申请号： | 201780014585.4 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108701100B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | S·卡瓦米;R·孙达拉姆;P·S·达姆勒;D·里佛斯;J·M·沃克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开和描述了用于校正非易失性存储器设备中的阈值电压漂移的装置、系统和方法。在一个示例中，通过基于时间的漂移补偿方案或基于干扰的漂移补偿方案生成补偿的分界电压，并且使用补偿的电压阈值来执行对非易失性存储器的读取和写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 管理 非易失性存储器 中的 阈值 电压 位移 | ||
【主权项】：
1.一种存储器控制器，包括电路，所述电路被配置为：通过基于时间的漂移补偿模式或基于干扰的漂移补偿模式来获得补偿的分界电压(Vdm)；以及将所述补偿的Vdm应用于非易失性存储器(NVM)设备的存储器位置的存储器单元。
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