[发明专利]转印薄膜、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置、静电电容型输入装置的制造方法及转印薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780014096.9 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108712964B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 豊冈健太郎;有年阳平;霜山达也 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: B32B7/023 分类号: B32B7/023;B32B27/30;B32B27/20;B32B27/06;B32B33/00;B44C1/165;B29C41/22;B29L7/00;B29L9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;张志楠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种转印薄膜及其应用,该转印薄膜在临时支撑体上,从临时支撑体侧依次具有:第1透明层,至少包含聚合性单体及树脂;第2透明层,至少包含金属氧化物粒子及树脂,并且平均厚度小于200nm;及第3透明层,平均厚度比第2透明层的平均厚度薄。对于第3透明层,层中的金属原子相对于所有原子的比率小于第2透明层中的金属原子相对于所有原子的比率,或通过X射线光电子能谱法从与第2透明层接触的面相反侧的最表面进行测定时,在300μm见方的面积中的金属原子相对于所有原子的比率为2%以下。
搜索关键词: 薄膜 电极 保护膜 层叠 静电 电容 输入 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种转印薄膜,其中,在临时支撑体上,从临时支撑体侧依次具有:第1透明层,该第1透明层至少包含聚合性单体及树脂;第2透明层,该第2透明层至少包含金属氧化物粒子及树脂,并且平均厚度小于200nm;及第3透明层,该第3透明层的平均厚度比所述第2透明层的平均厚度薄,并且该第3透明层中的金属原子相对于所有原子的比率小于所述第2透明层中的金属原子相对于所有原子的比率。
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