[发明专利]转印薄膜、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置、静电电容型输入装置的制造方法及转印薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种转印薄膜，其中，

在临时支撑体上，从临时支撑体侧依次具有：

第1透明层，该第1透明层至少包含聚合性单体及树脂；

第2透明层，该第2透明层至少包含金属氧化物粒子及树脂，并且平均厚度小于200nm；及

第3透明层，该第3透明层的平均厚度比所述第2透明层的平均厚度薄，并且该第3透明层中的金属原子相对于所有原子的比率小于所述第2透明层中的金属原子相对于所有原子的比率。

2.一种转印薄膜，其中，

在临时支撑体上，从临时支撑体侧依次具有：

第1透明层，该第1透明层至少包含聚合性单体及树脂；

第2透明层，该第2透明层至少包含金属氧化物粒子及树脂，并且平均厚度小于200nm；及

第3透明层，该第3透明层的平均厚度比所述第2透明层的平均厚度薄，并且该第3透明层通过X射线光电子能谱法从与所述第2透明层接触的面相反侧的最表面进行测定时，在300μm见方的面积中的金属原子相对于所有原子的比率为2％以下。

3.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第3透明层的平均厚度为10nm以下。

4.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第1透明层还含有聚合引发剂及通过加热能够与酸进行反应的化合物。

5.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第3透明层包含所述第1透明层中所包含的成分。

6.根据权利要求5所述的转印薄膜，其中，

所述成分为所述第1透明层中所包含的固化成分。

7.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层满足下述式(1)，

式(1)：100×H2/T2≤80.0

式(1)中，H2表示所述第2透明层的厚度的最大值与最小值之差的绝对值，T2表示第2透明层的平均厚度。

8.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层满足下述式(2)，

式(2)：100×H2/T2≤40.0

式(2)中，H2表示所述第2透明层的厚度的最大值与最小值之差的绝对值，T2表示所述第2透明层的平均厚度。

9.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层满足下述式(3)，

式(3)：100×H2/T2≤20.0

式(3)中，H2表示所述第2透明层的厚度的最大值与最小值之差的绝对值，T2表示所述第2透明层的平均厚度。

10.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层包含至少2种树脂。

11.根据权利要求10所述的转印薄膜，其中，

所述至少2种树脂中的至少1种是重均分子量为1000～20000的树脂。

12.根据权利要求10所述的转印薄膜，其中，

所述至少2种树脂中的至少1种是酸值为150mgKOH/g以上的树脂。

13.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层中所包含的树脂包含：具有源自(甲基)丙烯酸的结构单元及源自苯乙烯的结构单元的共聚物。

14.根据权利要求1或2所述的转印薄膜，其中，

所述第2透明层中所包含的树脂包含：具有源自(甲基)丙烯酸的结构单元及源自苯乙烯的结构单元且酸值为150mgKOH/g以上的共聚物。