[发明专利]一种IR检测器阵列设备在审
| 申请号： | 201780008612.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108885137A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | F·乌德雷亚;S·Z·艾利;R·H·霍普尔;J·加德纳;A·德卢卡 | 申请（专利权）人： | AMS传感器英国有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/08 | 分类号： | G01J5/08;G01J5/12;G01J5/20;G01J5/02;G01J3/28;G01J3/42 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 我们公开了一种红外(IR)检测器阵列，包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2，3)；至少两个IR检测器(4，5)，以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7)，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收。所述图案化层包括横向间隔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 检测器阵列 图案化层 介电膜 蚀刻 半导体基底 横向间隔 侧面 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种红外(IR)检测器阵列设备，包括：在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜；包含了至少两个IR检测器的IR检测器阵列，其中所述IR检测器阵列是在所述至少一个介电膜上或是其内部形成的；以及在所述介电膜内部或是其上形成的至少一个图案化层，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收，以及其中所述至少一个图案化层包括横向间隔结构。
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