[发明专利]一种IR检测器阵列设备

权利要求书

1.一种红外(IR)检测器阵列设备，包括：

在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜；

包含了至少两个IR检测器的IR检测器阵列，其中所述IR检测器阵列是在所述至少一个介电膜上或是其内部形成的；以及

在所述介电膜内部或是其上形成的至少一个图案化层，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收，以及

其中所述至少一个图案化层包括横向间隔结构。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个图案化层位于所述至少两个IR检测器中的一个上方，以使所述至少一个图案化层与所述至少两个IR检测器中的一个相关联。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个图案化层位于所述介电膜内部的所有IR检测器的上方，以使所述至少一个图案化层与所述至少两个IR检测器中的所有IR检测器相关联。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述具有横向间隔结构的至少一个图案化层在所述IR检测器中的至少一些IR检测器的上方具有相同的图案。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述具有横向间隔结构的至少一个图案化层在所述IR检测器中的至少一些IR检测器的上方具有不同的图案。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个图案化层包括位于所述IR检测器中的一个IR检测器的上方的第一组横向间隔结构，以及位于所述IR检测器中的另一个IR检测器的上方的第二组横向间隔结构，其中所述第一和第二组横向间隔结构具有相同的图案。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个图案化层包括位于所述IR检测器中的一个IR检测器的上方的第一组横向间隔结构，以及位于所述IR检测器中的另一个IR检测器的上方的第二组横向间隔结构，其中所述第一和第二组横向间隔结构具有不同的图案。

8.根据权利要求1所述的设备，其中每一个横向间隔结构都包括包含了金或铂的金属或是基于CMOS的金属，例如铝、铜、钛、钼或钨。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构在横向方向上周期性重复，由此形成重复图案。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述重复图案包括六边形或正方形。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包括圆形、椭圆形、矩形、梯形或是不同形状的组合，或者处于层的内部的这些形状的孔洞。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述图案化层包括单晶硅或多晶硅。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述IR检测器包括热电堆、电阻器、晶体管和二极管中的任何的一个或多个。

14.根据权利要求1所述的设备，其中每一个IR检测器包括热电堆，所述热电堆包括一个或多个热电偶，其中每一个热电偶都是串联耦合的。

15.根据权利要求14所述的设备，其中每一个热电偶进一步包括第一热电偶接点，其连接到相邻热电偶以形成第二热电偶接点，所述第一热电偶接点是热接点，所述第二热电偶接点是冷接点。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述热接点位于所述介电膜内部，并且所述冷接点位于所述介电膜外部。

17.根据权利要求1所述的设备，其中每一个IR检测器都包括至少一个二极管，其中所述至少一个二极管包括包含了多晶硅或单晶硅的材料。