[外观设计]功率半导体器件间隔脉冲IV测试法验证装置有效
申请号: | 201730110571.5 | 申请日: | 2017-04-06 |
公开(公告)号: | CN304419686S | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 刘冲;李洁;张珊;徐迎春;阚劲松;王酣 | 申请(专利权)人: | 中国电子技术标准化研究院 |
主分类号: | 10-05 | 分类号: | 10-05 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人: | 孙国栋 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 1.本外观设计产品的名称功率半导体器件间隔脉冲IV测试法验证装置;2.本外观设计产品的用途本外观设计产品用于功率二极管、功率三极管、功率MOSFET器件、功率IGBT模块等功率半导体器件检测脉冲IV测试方法的测试,测试曲线包括器件输入、输入特性曲线;3.本外观设计产品的设计要点在于该产品的整体形状;4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图;5.省略视图其它视图无设计要点,故省略。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体器件 间隔 脉冲 iv 测试 验证 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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