[实用新型]一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置有效
| 申请号： | 201721828290.4 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN207793408U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 周振宇;余光磊;郑秋阳;周仁泽;朴钟宇 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/58;C23C14/54;C23C14/04 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 王利强;李百玲 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，包括真空腔室、基底、主腔室和源部件，所述基底和主腔室分别布置在所述真空腔室内的上下两侧，所述源部件设置在所述主腔室内；所述源部件包括步进电机、小齿轮、大齿轮、子腔室、用于将基底镀膜的源材料、坩埚、用于遮蔽逸散的部分源的微观粒子的半圆遮板和用于实时测量源的通量的晶振片，所述步进电机的电机轴上固定有所述小齿轮，所述半圆遮板可转动的安装在子腔室的上端开口的一侧上，所述小齿轮与大齿轮啮合，所述大齿轮与所述半圆遮板上的齿形结构啮合。本实用新型提供了一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，能够在基底上制备出组分呈连续渐变式梯度分布的多元薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜制备装置 表面梯度 半圆 大齿轮 小齿轮 源部件 基底 遮板 啮合 步进电机 主腔室 子腔室 微观粒子 室内 本实用新型 齿形结构 多元薄膜 基底镀膜 上端开口 上下两侧 实时测量 梯度分布 真空腔室 电机轴 渐变式 晶振片 可转动 源材料 真空腔 遮蔽 通量 逸散 主腔 坩埚 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，其特征在于：包括真空腔室、基底、主腔室和源部件，所述基底和主腔室分别布置在所述真空腔室内的上下两侧，所述源部件设置在所述主腔室内；所述源部件包括步进电机、小齿轮、大齿轮、子腔室、用于将基底镀膜的源材料、坩埚、用于遮蔽逸散的部分源的微观粒子的半圆遮板和用于实时测量源的通量的晶振片，所述步进电机通过支架固定在主腔室的内壁上，所述步进电机的电机轴上固定有所述小齿轮，所述大齿轮通过轴承安装在转轴上，所述转轴固定在支架上，所述坩埚固定在所述子腔室的底部上，所述源材料设置在所述坩埚内，所述半圆遮板的弧端面朝向大齿轮布置且其上设有齿形结构，所述半圆遮板可转动的安装在子腔室的上端开口的一侧上，所述小齿轮与大齿轮啮合，所述大齿轮与所述半圆遮板上的齿形结构啮合，所述半圆遮板在坩埚上方处的底部设有所述晶振片；所述基底位于所述主腔室外且同时位于所述子腔室的上方，所述子腔室的下端安装在所述主腔室的底部上，所述基底的顶部还设有用于基底上的镀膜进行退火晶化的加热装置；所述主腔室上设有可以开合的主盖板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721828290.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
