[实用新型]一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置

权利要求书

1.一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，其特征在于：包括真空腔室、基底、主腔室和源部件，所述基底和主腔室分别布置在所述真空腔室内的上下两侧，所述源部件设置在所述主腔室内；

所述源部件包括步进电机、小齿轮、大齿轮、子腔室、用于将基底镀膜的源材料、坩埚、用于遮蔽逸散的部分源的微观粒子的半圆遮板和用于实时测量源的通量的晶振片，所述步进电机通过支架固定在主腔室的内壁上，所述步进电机的电机轴上固定有所述小齿轮，所述大齿轮通过轴承安装在转轴上，所述转轴固定在支架上，所述坩埚固定在所述子腔室的底部上，所述源材料设置在所述坩埚内，所述半圆遮板的弧端面朝向大齿轮布置且其上设有齿形结构，所述半圆遮板可转动的安装在子腔室的上端开口的一侧上，所述小齿轮与大齿轮啮合，所述大齿轮与所述半圆遮板上的齿形结构啮合，所述半圆遮板在坩埚上方处的底部设有所述晶振片；

所述基底位于所述主腔室外且同时位于所述子腔室的上方，所述子腔室的下端安装在所述主腔室的底部上，所述基底的顶部还设有用于基底上的镀膜进行退火晶化的加热装置；

所述主腔室上设有可以开合的主盖板。

2.如权利要求1所述的一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，其特征在于：所述半圆遮板的直线端面与子腔室的内壁之间的间距为子腔室的内径的一半，所述坩埚与子腔室同轴设置。

3.如权利要求1或2所述的一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，其特征在于：所述源部件设置有三个，三个源部件相互之间呈120°布置，所述基底位于所述主腔室的正上方，所述源部件均向主腔室的中轴线倾斜布置。

4.如权利要求1或2所述的一种基于PVD的表面梯度薄膜制备装置，其特征在于：所述源部件设置有四个，两个前后一组，两组之间左右对称布置，每组的两个源部件之间前后对称布置；所述基底位于所述主腔室的正上方，所述源部件均向主腔室的中轴线倾斜布置。