[实用新型]一种存储芯片的预整平装置有效
| 申请号： | 201721806262.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN207542216U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 付业民;郭寂波 | 申请（专利权）人： | 深圳市劲升迪龙科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种存储芯片的预整平装置，包括工作台、支撑柱和固定设置在工作台上的加热板，还包括固定连接在加热板顶部的下压板和设置在下压板正上方的上压板，所述下压板上设有容置槽和设置容置槽两侧的通孔，所述容置槽设有拔模斜面其底面的尺寸与产品的尺寸相同，所述通孔的一侧面与所述容置槽的一侧相导通，所述通孔的内壁上还设有朝向所述容置槽的喷嘴，所述支撑柱上设有带动所述上压板在垂直方向上运动的液压气缸，所述上压板的底部设有与所述容置槽相对应的凸块，本实用新型的一种存储芯片的预整平装置通过容置槽与凸块加压设计取代了传统的人工预整平加工，使产品进行加热预整平，降低人工成本，大大提高了产品的生产效率，减小了产品的不良率。 | ||
| 搜索关键词： | 容置槽 存储芯片 整平装置 上压板 通孔 加热板 下压板 支撑柱 凸块 本实用新型 拔模斜面 固定设置 人工成本 生产效率 液压气缸 整平加工 喷嘴 不良率 传统的 工作台 导通 减小 内壁 压板 整平 加热 加压 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种存储芯片的预整平装置，包括工作台、支撑柱和固定设置在工作台上的加热板，其特征在于：还包括固定连接在加热板顶部的下压板和设置在下压板正上方的上压板，所述下压板上设有容置槽和设置容置槽两侧的通孔，所述容置槽设有拔模斜面其底面的尺寸与产品的尺寸相同，所述通孔的一侧面与所述容置槽的一侧相导通，所述通孔的内壁上还设有朝向所述容置槽的喷嘴，所述支撑柱上设有带动所述上压板在垂直方向上运动的液压气缸，所述上压板的底部设有与所述容置槽相对应的凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
