[实用新型]抛负载低过压区的三晶体过流保护型B电路电压调节芯片

摘要

一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型B电路电压调节芯片，包括：第一晶体管Q1的发射极接电源正极，Q1的集电极通过电阻R1接地，该集电极还连接第三晶体管Q3栅极和储能延时单元5输入端；晶体管Q3源极接电源正极，其漏极连接第二晶体管Q2的集电极，晶体管Q2的基极连接储能延时单元5的输出端，储能延时单元5的正极端接电源正极，晶体管Q2的发射极通过阈值调整单元4连接晶体管Q1的基极，晶体管Q3的漏极为励磁端F；采样单元7连接电源正极和地，其输出端通过基准单元8连接晶体管Q1的基极，续流单元9连接于励磁端和地之间；具有芯片电路简单、耐压高、能够过流保护、耐温性好、抛负载过压区低、成本低、可靠性高的优点。

主权项

1.一种抛负载低过压区的三晶体过流保护型B电路电压调节芯片，其特征在于包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻R1、采样单元、基准单元和续流单元，其中：所述第一晶体管的发射极接电源正极，所述第一晶体管集电极通过电阻R1接地即电源负极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的正极端接电源正极，所述第三晶体管的输出端连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述储能延时单元的正极端接电源正极，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端作为所述电压调节芯片的输出端，用于控制B电路发电机的励磁电流；所述采样单元连接电源正极和地，所述采样单元的输出端通过所述基准单元连接所述第一晶体管的基极，所述续流单元连接于所述第三晶体管输出端和地之间；当发电机电源正极电压低于设定值时且所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电流为0使所述第一晶体管截止；当发电机输出电压高于设定值时，所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通，使所述第三晶体管截止切断励磁电流，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若发电机输出电压低于设定值则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若发电机输出电压持续高于设定值则所述采样单元输出电压通过所述基准单元驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止切断励磁电流；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。