[实用新型]一种抗工频磁场干扰锰铜分流器有效
| 申请号： | 201721676980.2 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN207572160U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李隐宪;马鲁;花海涛 | 申请（专利权）人： | 新沂市鑫洋电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/06 | 分类号： | H01C1/06;H01C3/00 |
| 代理公司： | 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 | 代理人： | 马广旭 |
| 地址： | 221400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种抗工频磁场干扰锰铜分流器，其特征在于，包括分流器元件与抗干扰结构，所述抗干扰结构设置于分流器元件外侧，所述抗干扰结构包括磁屏蔽层与绝缘填充层，所述磁屏蔽层与分流器元件由绝缘填充层间隔。该设计通过磁屏蔽层的设置，在内部形成良好磁屏蔽区域，从而使测量准确性得到保障，具有广泛的适用性。绝缘填充层可以提供更加稳定的环境避免一般外界环境干扰，也防止磁屏蔽层与分流器元件直接接触，影响效果。 | ||
| 搜索关键词： | 磁屏蔽层 分流器 绝缘填充层 抗干扰结构 工频磁场干扰 锰铜分流器 本实用新型 外界环境 影响效果 磁屏蔽 测量 | ||
【主权项】：
1.一种抗工频磁场干扰锰铜分流器，其特征在于，包括分流器元件（1）与抗干扰结构，所述抗干扰结构设置于分流器元件（1）外侧，所述抗干扰结构包括磁屏蔽层（3）与绝缘填充层（2），所述磁屏蔽层（3）与分流器元件（1）由绝缘填充层（2）间隔。
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