[实用新型]一种抗工频磁场干扰锰铜分流器有效

专利信息
申请号: 201721676980.2 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN207572160U 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 李隐宪;马鲁;花海涛 申请(专利权)人: 新沂市鑫洋电子有限公司
主分类号: H01C1/06 分类号: H01C1/06;H01C3/00
代理公司: 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 代理人: 马广旭
地址: 221400 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 磁屏蔽层 分流器 绝缘填充层 抗干扰结构 工频磁场干扰 锰铜分流器 本实用新型 外界环境 影响效果 磁屏蔽 测量
【说明书】:

实用新型提供一种抗工频磁场干扰锰铜分流器,其特征在于,包括分流器元件与抗干扰结构,所述抗干扰结构设置于分流器元件外侧,所述抗干扰结构包括磁屏蔽层与绝缘填充层,所述磁屏蔽层与分流器元件由绝缘填充层间隔。该设计通过磁屏蔽层的设置,在内部形成良好磁屏蔽区域,从而使测量准确性得到保障,具有广泛的适用性。绝缘填充层可以提供更加稳定的环境避免一般外界环境干扰,也防止磁屏蔽层与分流器元件直接接触,影响效果。

技术领域

本实用新型涉及一种锰铜分流器,具体涉及一种抗工频磁场干扰锰铜分流器。

背景技术

锰铜是一种精密电阻合金,尽管锰铜合金的压阻系数不是很高, 但由于它具有灵敏度高、响应快、线性较好、电阻温度系数小等特点, 非常适合于制作超高压力传感器。其有效量程为1~50GPa,是目前测压上限最高的直接式压力传感器, 广泛应用于研究材料中弹塑性波的传播特性、动态断裂、层裂、相变、炸药爆轰等方面。

锰铜分流器在使用时对抗干扰性能有较高要求,其直接决定工作准确性。因此需要一种抗磁场干扰的锰铜分流器。

实用新型内容

为解决上述存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种抗工频磁场干扰锰铜分流器,其通过多层磁屏蔽材料的设置,在内部形成良好磁屏蔽区域,从而使测量准确性得到保障,具有广泛的适用性。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是:

一种抗工频磁场干扰锰铜分流器,其特征在于,包括分流器元件与抗干扰结构,所述抗干扰结构设置于分流器元件外侧,所述抗干扰结构包括磁屏蔽层与绝缘填充层,所述磁屏蔽层与分流器元件由绝缘填充层间隔。该设计通过磁屏蔽层的设置,在内部形成良好磁屏蔽区域,从而使测量准确性得到保障,具有广泛的适用性。绝缘填充层可以提供更加稳定的环境避免一般外界环境干扰,也防止磁屏蔽层与分流器元件直接接触,影响效果。

作为上述方案的进一步改进,所述抗干扰结构包括多层磁屏蔽层与多层绝缘填充层,所述磁屏蔽层之间由绝缘填充层间隔。该设计可以进一步提高屏蔽性能。

作为上述方案的进一步改进,所述绝缘填充层包括硅脂层。硅脂可以起到良好的绝缘、导热防潮作用,其具有良好的综合性能,是绝缘填充层的优选。

作为上述方案的进一步改进,所述抗干扰结构外层设有保护壳。保护壳可以防止磁屏蔽层被刺破,或挤压导致的磁屏蔽层与分流器元件直接接触。

作为上述方案的进一步改进,所述保护壳内部设有磁屏蔽材料,所述保护壳与磁屏蔽层之间设有绝缘填充层。该设计防止元件在保护壳内晃动,起到更稳定的保护作用。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:

其通过多层磁屏蔽材料的设置,在内部形成良好磁屏蔽区域,从而使测量准确性得到保障,具有广泛的适用性。

附图说明

图1为本实用新型实施例所提供的一种抗工频磁场干扰锰铜分流器结构示意图。

其中:

1、分流器元件;2、绝缘填充层;3、磁屏蔽层;4、保护壳。

具体实施方式

以下将结合实施方式和附图对本实用新型创造的构思、具体结构及产生的具体效果进行清楚、完整的描述,以充分的理解本实用新型创造的目的、特征和效果。本实用新型创造的各项技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。

参见图1,一种抗工频磁场干扰锰铜分流器,其特征在于,包括分流器元件1与抗干扰结构,所述抗干扰结构设置于分流器元件1外侧,所述抗干扰结构包括磁屏蔽层3与绝缘填充层2,所述磁屏蔽层3与分流器元件1由绝缘填充层2间隔。

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