[实用新型]场效应晶体管的隔离结构

摘要

本实用新型提供一种场效应晶体管的隔离结构，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本实用新型采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本实用新型所占面积大大减小，可有效提高场效应晶体管的集成密度。

主权项

1.一种场效应晶体管的隔离结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽；介质层，形成于所述环形沟槽侧壁及底部；金属层，填充于所述环形沟槽，且所述金属层的上层部分被去除，以形成环形凹槽；绝缘层，填充于所述环形凹槽，以掩埋所述金属层；部分的所述绝缘层去除而成接触窗，所述接触窗显露所述环形沟槽中的所述金属层；以及接触电极，填充于所述接触窗并与所述金属层接触，以形成场效应晶体管的隔离结构的控制端。