[实用新型]ESD保护装置有效
申请号: | 201721674156.3 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN207624696U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 坂井宣夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型涉及ESD保护装置,降低二极管型的ESD保护装置的导通时的电阻。ESD保护装置(10)具备半导体基板(20)、ESD保护电路部(345)、以及非接地导体(90)。ESD保护电路部(345)形成于半导体基板(20)的第一主面侧,包括二极管D1、D2。二极管D1和二极管D2由沿着ESD保护电路部(345)的厚度方向形成的PN结实现,经由半导体基板(20)连接。非接地导体(90)形成于半导体基板(20)的第二主面。非接地导体(90)在半导体基板(20)的俯视时包括二极管D1以及二极管D2之间的区域的至少一部分,且与二极管D1或者二极管D2的至少一部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 二极管 半导体基板 导体 非接地 主面 本实用新型 二极管型 导通 电阻 俯视 | ||
【主权项】:
1.一种ESD保护装置,其特征在于,具备:半导体基板,具有相互对置的第一主面和第二主面;ESD保护电路部,形成于上述半导体基板的上述第一主面侧,包括第一二极管元件和第二二极管元件;以及非接地导体,形成在上述半导体基板的上述第二主面上,上述第一二极管元件和上述第二二极管元件沿着上述半导体基板的厚度方向形成有PN结并且经由上述半导体基板连接,在俯视上述半导体基板时,上述非接地导体包括上述第一二极管元件和上述第二二极管元件之间的区域的至少一部分,并与上述第一二极管元件或者上述第二二极管元件的至少一部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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