[实用新型]一种硅片铝硅合金层厚度测试装置有效
申请号: | 201721629938.5 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN207676880U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 李琰琪;王钰雅;李栋;蒋方丹;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种硅片铝硅合金层厚度测试装置,属于太阳能电池技术领域,该测试装置包括:第一反应槽,容纳有第一反应液;第二反应槽,容纳有第二反应液;电阻率测试仪,能够与第一反应槽的硅片和第二反应槽内的硅片连接;重量传感器,设置于第二反应槽内;测厚仪,设置于第一反应槽和第二反应槽的外部。本实用新型提供的测试装置只需将硅片依次在第一反应槽和第二反应槽内发生反应,然后对反应后的硅片进行称重,即可求得铝硅合金层的厚度,该测试装置结构简单,操作方便,且成本低。此外,本实用新型通过电阻率测试仪测试硅片的电阻率,以确定硅片上的铝背场以及硅铝合金层是否反应完全,使得检测装置能够简单、方便地监测硅片的电阻率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 第二反应槽 第一反应槽 本实用新型 铝硅合金层 电阻率测试仪 测试装置 厚度测试 电阻率 太阳能电池技术 测试装置结构 容纳 硅铝合金层 重量传感器 检测装置 测厚仪 铝背场 称重 测试 监测 外部 | ||
【主权项】:
1.一种硅片铝硅合金层厚度测试装置,其特征在于,包括:第一反应槽(1),容纳有第一反应液,所述第一反应液能够与硅片的铝背场发生反应,所述第一反应槽(1)内设置有带动所述第一反应槽(1)内的硅片升降的第一升降台(12);第二反应槽(2),容纳有第二反应液,所述第二反应液能够与硅片的硅铝合金层发生反应,所述第二反应槽(2)内设置有带动所述第二反应槽(2)内的硅片升降的第二升降台(21);传输组件(6),两端分别与所述第一反应槽(1)和所述第二反应槽(2)对接,能够将所述第一升降台(12)上的硅片传输至所述第二升降台(21);电阻率测试仪(3),能够与所述第一反应槽(1)和所述第二反应槽(2)内的硅片连接,以监测所述第一反应槽(1)和所述第二反应槽(2)内的硅片的电阻率;重量传感器,设置于所述第二升降台(21)上,并对所述第二升降台(21)上的硅片称重;及测厚仪,设置于所述传输组件(6)的一侧,能够测量硅片的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造