[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201721551096.6 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN207664048U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;阿里·萨利赫;沃恩-埃德蒙兹·卢埃林 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本专利申请中涉及一种半导体器件，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料，所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子产生层 漏极接触 沟道层 半导体器件 导电材料 源极接触 栅极接触 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料，所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。
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