[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201721470663.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN207852644U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；及，回流金属层，填充于所述沟槽内。本实用新型通过在沟槽内沉积金属层后进行高温回流处理，金属层会在回流状态下自所述沟槽的开口处向所述沟槽的底部流动，从而将所述沟槽填满并确保填充于沟槽内的金属层内不会有孔洞的存在；同时，高温回流工艺会让金属原子再结晶从而形成反射率较高的高品质回流金属层，从而增强半导体器件的电迁移性能及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 半导体结构 本实用新型 高温回流 衬底 填充 半导体 孔洞 半导体器件 沉积金属层 沟槽填满 金属原子 使用寿命 电迁移 反射率 高品质 开口处 再结晶 流动 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；回流金属层，填充于所述沟槽内；及，浸润层，位于所述沟槽内，以作为所述回流金属层与所述半导体衬底之间的接合内衬。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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