[实用新型]一种ESD保护电路

摘要

本实用新型公开了一种ESD保护电路，包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD。本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流；与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比，GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点；本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快，且GCNMOS在多指（multi‑fingers）结构下能够均匀开启，具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径，对受保护器件的ESD保护更有效。

主权项

1.一种ESD保护电路，其特征在于：包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述达林顿复合晶体管由两个三极管NPN1和NPN2并联构成；所述NMOS管的栅极分别通过所述电容C和所述电阻Rp连接到PAD端和GND，所述NMOS管的源极连接所述NPN1的基极，所述NPN1的发射极和所述NPN2的基极相连，所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD，所述NPN2的发射极连接到GND。