[实用新型]一种晶体快速生长装置有效

专利信息
申请号: 201721367288.1 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN207313743U 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 李中波;唐华纯 申请(专利权)人: 上海御光新材料科技股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201807 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型实施例通过在生长装置中设置晶转电机,利用程序控制支撑杆的正向与反向旋转,进而带动坩埚正向与反向旋转,在真空环境下对坩埚进行加热,并控制炉体内温度,以使得坩埚内晶体熔液均匀分布,经过旋转晶体生长成形快速,通过升降臂让坩埚按照规定速度下降,在晶体生长点进行结晶,进而实现在助熔剂辅助下生长高质量的晶体,本实用新型晶体生长装置,其结构简单,用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长,具有广泛的应用价值。
搜索关键词: 一种 晶体 快速 生长 装置
【主权项】:
一种晶体快速生长装置,其特征在于,包括:炉体,所述炉体包括位于上部的高温区、中部的中温区以及下部的低温区;设置在炉体底部的密封盖;位置于炉体内的坩埚;与坩埚连接的支撑杆,所述密封盖套接在所述支撑杆上,所述坩埚固定设置支撑杆顶部;抽真空装置,所述抽真空装置与炉体连接;流体冷却装置,所述流体冷却装置与所述炉体连接;设置在所述炉体下方的升降装置,以控制位于所述升降装置上的支撑杆的升降,进而控制坩埚在所述高温区与所述低温区之间往复运动,同时带动密封盖上下往复运动进而对炉体进行密封和解封。
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