[实用新型]电阻值校准电路及应用其的半导体存储器有效
| 申请号： | 201721337059.5 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN207217120U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赖荣钦 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 张臻贤,由元 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电阻值校准电路以及应用其的半导体存储器，本实用新型的电阻值校准电路以P+多晶硅电阻和N+多晶硅电阻的组合电阻作为参考电阻，利用P+多晶硅电阻和N+多晶硅电阻的电阻温度系数互逆的特性，补偿温度对参考电阻的影响，提高电阻值校准的准确性，可应用到半导体存储器上，用于校准输入输出端口驱动单元的电阻值，提高输入输出端口的输入输出性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻值 校准 电路 应用 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻值校准电路，包括相连接的第一被校准单元和参考电阻，所述参考电阻用于校准所述第一被校准单元的电阻值，其特征在于，所述参考电阻包括P+多晶硅电阻和N+多晶硅电阻。
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