[实用新型]一种横向PMOS管及横向PMOS芯片

摘要

本实用新型提供一种横向PMOS管及横向PMOS芯片，所述横向PMOS管包括PMOS开关管和ESD保护电路，所述PMOS开关管的源极设置于其栅极的一侧，所述PMOS开关管的漏极设置于所述栅极的另一侧，所述PMOS开关管的栅氧化层下方区域设置为沟道；所述ESD保护电路分别与所述PMOS开关管的源极和栅极相连接。本实用新型采用主流的CMOS工艺来实现横向的PMOS结构，进而提供一种新的LED显示屏行扫描驱动芯片，以达到降低成本和保证产能供应等目的；不仅能满足LED显示屏行驱动芯片的市场应用，还具有开启电压低和偏差小的优点，且通过增加的ESD保护电路实现了全面的ESD保护，以达到成本低和性能优的特点。 1

主权项

1.一种横向PMOS管，其特征在于，包括PMOS开关管和ESD保护电路，所述PMOS开关管的源极设置于其栅极的一侧，所述PMOS开关管的漏极设置于所述栅极的另一侧，所述PMOS开关管的栅氧化层下方区域设置为沟道；所述ESD保护电路分别与所述PMOS开关管的源极和栅极相连接。

2.根据权利要求1所述的横向PMOS管，其特征在于，所述ESD保护电路包括场效应管PW1、场效应管PW2和电阻R1，所述场效应管PW1的栅极、场效应管PW1的源极、场效应管PW2的栅极以及场效应管PW2的源极均与所述PMOS开关管的源极相连接，所述场效应管PW1的漏极通过所述电阻R1分别连接至所述场效应管PW2的漏极和所述PMOS开关管的栅极。

3.根据权利要求2所述的横向PMOS管，其特征在于，所述场效应管PW1还包括寄生二极管D11，所述寄生二极管D11的阳极连接至所述场效应管PW1的漏极，所述寄生二极管D11的阴极连接至所述场效应管PW1的源极。

4.根据权利要求2所述的横向PMOS管，其特征在于，所述场效应管PW2还包括寄生二极管D12，所述寄生二极管D12的阳极连接至所述场效应管PW2的漏极，所述寄生二极管D12的阴极连接至所述场效应管PW2的源极。

5.根据权利要求2所述的横向PMOS管，其特征在于，所述PMOS开关管还包括寄生二极管D0，所述寄生二极管D0的阳极连接至所述PMOS开关管的漏极，所述寄生二极管D0的阴极连接至所述PMOS开关管的源极。

6.一种横向PMOS芯片，其特征在于，所述横向PMOS芯片包括了如权利要求1至5任意一项所述的横向PMOS管。

7.根据权利要求6所述的横向PMOS芯片，其特征在于，所述横向PMOS芯片包括了至少两个所述横向PMOS管，所述至少两个横向PMOS管封装在同一个横向PMOS芯片中。

8.根据权利要求7所述的横向PMOS芯片，其特征在于，每一个横向PMOS管均设置有独立的输入端和输出端。