[实用新型]制绒槽后水清洗喷淋装置有效
申请号: | 201721268324.9 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN207425805U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 张辉明 | 申请(专利权)人: | 四川英发太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 胡晓丽 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了制绒槽后水清洗喷淋装置,包括喷淋管,所述喷淋管上设有若干喷头,所述喷头包括圆柱形第一喷嘴和圆柱形第二喷嘴,所述第一喷嘴和第二喷嘴上分别开设有第一喷淋孔和第二喷淋孔,所述第一喷淋孔的孔径大于第二喷淋孔的孔径;所述第一喷嘴轴向一端固定在喷淋管上、轴向另一端与第二喷嘴螺纹连接,所述第一喷淋孔与喷淋管连通,所述第二喷淋孔与第一喷淋孔连通。本实用新型采用两种喷淋孔径不同的喷嘴,便于工作人员依据实际清洗需求选用不同的喷嘴,且结构连接简单,操作方便。 | ||
搜索关键词: | 喷淋孔 喷嘴 喷淋管 喷头 本实用新型 喷淋装置 水清洗 制绒槽 连通 结构连接 喷嘴螺纹 喷嘴轴 喷淋 轴向 清洗 | ||
【主权项】:
1.制绒槽后水清洗喷淋装置,包括喷淋管(1),所述喷淋管(1)上设有若干喷头(2),其特征在于,所述喷头(2)包括圆柱形第一喷嘴(21)和圆柱形第二喷嘴(22),所述第一喷嘴(21)和第二喷嘴(22)上分别开设有第一喷淋孔(23)和第二喷淋孔(24),所述第一喷淋孔(23)的孔径大于第二喷淋孔(24)的孔径;所述第一喷嘴(21)轴向一端固定在喷淋管(1)上、轴向另一端与第二喷嘴(22)螺纹连接,所述第一喷淋孔(23)与喷淋管(1)连通,所述第二喷淋孔(24)与第一喷淋孔(23)连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川英发太阳能科技有限公司,未经四川英发太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721268324.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统
- 下一篇:制绒槽进液装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造