[实用新型]多模多频抗静电射频开关

摘要

随着射频集成电路技术的迅速发展，无线通信产品已广泛应用于各行各业，射频开关位于无线接收系统前端，其性能的好坏决定了整个收发系统的性能。本实用新型推出一种多模多频抗静电射频开关，射频开关采用二级结构，不仅具有较宽的频带范围，还能有效减小射频天线到地的寄生电容，提高各个端口之间的隔离度，还能有效改善电路的线性度，并减小插入损耗。本实用新型抗静电模块采用单管结构，在尽量减少寄生电容的情况下尽可能的提高了射频开关的抗静电能力。

主权项

1.多模多频抗静电射频开关，包含ANT端、PA端、LNA端、VB1端、VB2端和地线，其中ANT端为天线发射端，PA端为射频信号输出端，LNA端为射频信号输入端，VB1端、VB2端均为模式控制端，其特征在于，该射频开关还含第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）、第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）、第九MOS管（M9）、第十MOS管（M10）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第七电阻（R7）、第八电阻（R8）、第九电阻（R9）、第十电阻（R10），其中第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）、第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）、第九MOS管（M9）和第十MOS管（M10）均为NMOS管；其具体连接方式为：第一MOS管（M1）的栅极与第一电阻（R1）的一端连接，第二MOS管（M2）的栅极与第二电阻（R2）的一端连接，第三MOS管（M3）的栅极与第三电阻（R3）的一端连接，第四MOS管（M4）的栅极与第四电阻（R4）的一端连接，第五MOS管（M5）的栅极与第五电阻（R5）的一端连接，第六MOS管（M6）的栅极与第六电阻（R6）的一端连接，第七MOS管（M7）的栅极与第七电阻（R7）的一端连接，第八MOS管（M8）的栅极与第八电阻（R8）的一端连接, 第九MOS管（M9）的栅极与第九电阻（R9）的一端连接，第十MOS管（M10）的栅极与第十电阻（R10）的一端连接；第一电阻（R1）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）及第八电阻（R8）的另一端连接在一起后与VB2端连接；第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第六电阻（R6）及第七电阻（R7）的另一端连接在一起后与VB1端连接；第九电阻（R9）和第十电阻（R10）的另一端分别和地线连接在一起；第一MOS管（M1）的漏极与第二MOS管（M2）的漏极连接在一起后与ANT端连接；第一MOS管（M1）的源极、第三MOS管（M3）的漏极与第五MOS管（M5）的漏极连接在一起；第二MOS管（M2）的源极、第四MOS管（M4）的漏极与第六MOS管（M6）的漏极连接在一起；第五MOS管（M5）的源极、第七MOS管（M7）的漏极和PA端连接在一起；第六MOS管（M6）的源极、第八MOS管（M8）管的漏极和LNA端连接在一起；第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第七MOS管（M7）及第八MOS管（M8）的源极与地线连接；第九MOS管（M9）的漏极和PA端相连，（M9）管的源极和地线相连；第十MOS管（M10）的漏极和LNA端相连，（M10）管的源极和地线相连；第二个射频开关SPDT2，输入端为PA2，输出端为LNA2，对应控制端为VB3和VB4；以此类推，第X个射频开关SPDTX，输入端为PAX，输出端为LNAX，对应控制端为VBX和VBX1；第九MOS管（M9）和第十MOS管（M10），其尺寸直接决定ESD性能，其关键特征是源极的孔到栅极的距离为0.5um，漏极的孔到栅极的距离为3.5um，MOS管的宽度为50um。