[实用新型]一种改进结构的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721177335.6 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN207097834U | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 | 申请（专利权）人： | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改进结构的肖特基二极管，包括由上至下依次设置的阳极金属层、N‑外延层、N型基片、N+阴极层和阴极金属层，在阳极金属层与N‑外延层接触的一端的四周设置有二氧化硅层，二极管的阳极设置在阳极金属层端，二极管的阴极设置在阴极金属层端，N‑外延层向阳极金属层侧和/或N型基片侧外凸构成有凸起。本实用新型通过增加N‑外延层的表面积，降低N‑外延层的电阻值，这样就能保证N‑外延层中的移动电子的数量，同时又能保证肖特基二极管的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 结构 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种改进结构的肖特基二极管，包括由上至下依次设置的阳极金属层(1)、N‑外延层(3)、N型基片(4)、N+阴极层(5)和阴极金属层(6)，所述阳极金属层(1)与N‑外延层(3)接触的一端的四周设置有二氧化硅层(2)，二极管的阳极设置在阳极金属层(1)端，二极管的阴极设置在阴极金属层(6)端，其特征在于，所述N‑外延层(3)向阳极金属层(1)侧和/或N型基片(4)侧外凸构成有凸起。
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