[实用新型]基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构有效
| 申请号： | 201721158538.0 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN207622713U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 牟笑静;窦韶旭;齐梦珂 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01B17/04 | 分类号： | G01B17/04;H03H9/25 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 顾晓玲 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅，在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层，在压电薄膜和绝缘保护层上有通孔分别连接至底电极和叉指换能器，在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘；并且具有或不具有如下结构：在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至SOI隔离层形成有应变腔室，腔室在SOI芯片基底底面和SOI芯片基底侧壁均有开口。该高温应变传感器芯片结构简单、体积小、重量轻、精度高，可应用于航空航天、石油化工、核工业等高温环境下应变参数的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 压电薄膜 应变传感器芯片 基底 叉指换能器 绝缘保护层 基底底面 声表面波 应用结构 反射栅 通孔 本实用新型 第二表面 第一表面 高温环境 航空航天 基底侧壁 石油化工 应变参数 底电极 隔离层 体积小 应变腔 重量轻 核工业 腔室 开口 测量 延伸 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片，其特征在于，包括：SOI芯片基底，所述SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在所述SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅。
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