[实用新型]承载组件和高分子薄膜极化装置有效
| 申请号： | 201721146225.3 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN207489827U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王开安 | 申请（专利权）人： | 王开安 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L41/257 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 王琴;蒋慧 |
| 地址： | 美国加利福*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种承载组件和高分子薄膜极化装置。本实用新型的承载组件包括金属载板、掩板，所述金属载板接地设置，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板与金属载板活动连接，并可与金属载板盖合，所述掩板上开设开口以与金属载板盖合后露出高分子薄膜器件上需要极化的高分子薄膜，且掩板与金属载板盖合后，掩板与承载在载板上的高分子薄膜器件之间存在间隙。本实用新型的承载组件，防止了在极化前掩板对高分子薄膜器件上的高分子薄膜造成损伤，提高了生产合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子薄膜 金属载板 掩板 承载组件 本实用新型 盖合 极化装置 极化 承载 薄膜技术领域 活动连接 接地 载板 开口 损伤 合格率 生产 | ||
【主权项】：
一种承载组件，用于在极化过程中承载高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜，其特征在于：所述承载组件包括金属载板、掩板，所述金属载板接地设置，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板与金属载板活动连接，并可与金属载板盖合，所述掩板上开设开口以与金属载板盖合后露出高分子薄膜器件上需要极化的高分子薄膜，且掩板与金属载板盖合后，掩板与承载在载板上的高分子薄膜器件之间存在间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
