[实用新型]一种石墨烯-半导体双脊型混合表面等离子波导结构有效
| 申请号： | 201721127885.7 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN207992502U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 朱君;徐政杰;秦柳丽;傅得立 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接。这种混合表面等离子波导结构能够提高更强的局域化约束，具备了为表面等离子激励电路提供基本单元器件的条件，从而实现了更大的带宽超快数据传输。 | ||
| 搜索关键词： | 叠接 二氧化硅缓冲层 波导结构 混合表面 等离子 金属纳米层 半导体层 高折射率 倒脊型 纳米层 石墨烯 脊型 双脊 半导体 本实用新型 表面等离子 二氧化硅基 单元器件 激励电路 数据传输 局域化 上表面 下表面 耦合层 带宽 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接。
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