[实用新型]显示装置有效
| 申请号： | 201721108100.1 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207216226U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 花田明纮 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及显示装置。本实用新型的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述像素包含使用氧化物半导体(107)的第1TFT，在所述氧化物半导体(107)之上形成栅极绝缘膜(108)，在所述栅极绝缘膜(108)之上形成第1栅电极(109)，在所述氧化物半导体(107)的源极及漏极的各自中，与所述氧化物半导体接触从而形成由金属或合金形成的第1源漏电极(110)，所述第1栅电极(109)及所述第1源漏电极(110)为相同材料。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料。
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