[实用新型]显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置，且涉及使用混合式(hybrid)结构(其利用使用结晶硅(Poly-Si多晶硅)的TFT和使用氧化物半导体的TFT这两者)的显示装置。

背景技术

对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板，与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制利用液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层与TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于不需要背光源，因此对于薄型化而言是有利的。

由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。

作为记载了使用氧化物半导体的TFT的文献，可举出专利文献1及专利文献2。专利文献1中记载了在构成沟道的氧化物半导体之上形成金属氧化物，将其用作栅极绝缘膜的构成。专利文献2中记载了，在使用氧化物半导体的底栅型TFT中，作为沟道蚀刻的牺牲层而使用金属氧化物或者半导体层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-175718号公报

专利文献2：日本特开2011-54812号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

关于作为像素的开关使用的TFT，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。以下，将氧化物半导体之中的光学透明、且非晶的那些称为TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor：透明非晶氧化物半导体)。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化铟镓锌)、ITZO(IndiumTinZincOxide：氧化铟锡锌)、ZnON(ZincOxideNitride：氮氧化锌)、IGO(IndiumGalliumOxide：氧化铟镓)等。以下，以TAOS为代表说明氧化物半导体。TAOS的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了TAOS的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT的意思。

另一方面，由LTPS形成的TFT的迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS的TFT的意思。但是，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下，LTPS的漏电流大，因此，通常将2个LTPS串联使用。

因此，当作为显示区域中的像素的开关元件而使用TAOS，而在周边驱动电路的TFT中使用LTPS时，则是合理的。但是，对于LTPS和TAOS而言，由于材料的性质不同，因此对于将其形成于同一基板上而言，存在问题。即，在LTPS上形成源电极和漏电极时，为了除去表面氧化物，需要用氢氟酸(HF)清洗LTPS，但由于TAOS通过氢氟酸(HF)而溶解，因此不能使用同一工序。

本实用新型的课题在于，通过解决如上所述的问题，从而能够实现以共用工艺来将利用LTPS的TFT与利用TAOS的TFT形成于同一基板上。

用于解决问题的手段

本实用新型为克服上述问题的实用新型，且具体手段如下所述。

(1)一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料、且被同时构图。

(2)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而连接于所述第1TFT的源极或漏极。

(3)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。

(4)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的外侧形成驱动电路，所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。