[实用新型]一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件有效
| 申请号： | 201721097608.6 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN207690822U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄锋;李沫;陈飞良;张晖;李倩;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件，包括：基底、金属薄膜、介质条、金属纳米棒，金属薄膜沉积于基底上面，介质条沉积于金属薄膜上；金属薄膜和介质条形成介质承载表面等离激元波导，所述介质承载表面等离激元波导用于收集单光子源发射出来的光子；金属纳米棒位于介质承载表面等离激元波导的内部，单光子源位于金属纳米棒和金属薄膜之间；金属薄膜和金属纳米棒形成间隙等离激元微腔结构，所述间隙等离激元微腔结构用于形成间隙等离激元。本实用新型的优点在于：可以极大地增强单光子源的发射速率，提高单光子的收集效率，并能实现波导中模式的定向激发。本实用新型在量子信息、集成光子器件等领域具有巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 单光子源 金属薄膜 金属纳米棒 表面等离激元波导 本实用新型 等离激元 介质承载 介质条 发射 高收集效率 微腔结构 基底 集成光子器件 金属薄膜沉积 量子信息 收集效率 单光子 光子 波导 沉积 激发 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件，包括：基底（1）、金属薄膜（2）、介质条（3）、金属纳米棒（4）、单光子源（5），所述金属薄膜（2）沉积于基底（1）上，介质条（3）沉积于金属薄膜（2）上；所述金属薄膜（2）和介质条形成用于收集单光子源发射的光子的介质承载表面等离激元波导；所述金属纳米棒（4）位于所述介质承载表面等离激元波导内部，金属纳米棒（4）的长度方向与介质条（3）的长度方向一致；所述单光子源（5）位于金属纳米棒（4）和金属薄膜（2）之间；所述金属薄膜（2）和金属纳米棒形成用于形成间隙等离激元的间隙等离激元微腔结构。
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