[实用新型]一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极有效
| 申请号： | 201721070207.1 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207217551U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;卢宽宽;姚日晖;胡诗犇;刘贤哲;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/44 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 雷月华 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。本实用新型中通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 复合 结构 漏电 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极，其特征在于：所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。
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