[实用新型]一种GaN/AlGaN栅槽结构有效
| 申请号： | 201720900135.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN207425861U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊焘;周阳;代刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN/AlGaN栅槽结构，其特征在于包括：一半导体衬底、半导体衬底上的GaN/AlGaN多层外延材料层和GaN/AlGaN多层外延材料层表面上的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层和GaN/AlGaN多层外延材料层上图形化刻蚀有栅槽结构；该栅槽结构具有清洁、平整、低损伤的GaN/AlGaN结构图形，特别适用于HEMT器件，可以有效提高HEMT器件电性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅槽 外延材料层 多层 刻蚀阻挡层 衬底 半导体 本实用新型 图形化刻蚀 结构图形 低损伤 电性 良率 平整 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种GaN/AlGaN栅槽结构，其特征在于包括：一半导体衬底（110）、半导体衬底（110）上的GaN/AlGaN多层外延材料层和GaN/AlGaN多层外延材料层表面上的刻蚀阻挡层（130）；所述刻蚀阻挡层（130）和GaN/AlGaN多层外延材料层上图形化刻蚀有栅槽结构（220）。
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