[实用新型]一种HIBC电池有效
| 申请号： | 201720879107.7 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN207116442U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张敏;卢刚;张治;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;杨勇洲;杜娟 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种HIBC电池，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。本实用新型通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，提高了所述HIBC电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hibc 电池 | ||
【主权项】：
一种HIBC电池，包括硅衬底(1)、电极(5)和依次设置在所述硅衬底(1)的背表面上的第一本征非晶硅层(3)以及掺杂非晶硅层(4)，所述电极(5)与所述掺杂非晶硅层(4)连接，其特征在于，所述硅衬底(1)与所述第一本征非晶硅层(3)之间设置有氢化非晶氧化硅层(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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