[实用新型]一种HIBC电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，尤其是一种HIBC电池。

背景技术

目前的光伏技术领域中重要的目标是制作出实现更高效率的光伏电池，尤其以异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer Cell，HIT电池)和背接触电池(Interdigitated back contact，IBC电池)为代表的高效电池成为企业和研究机构关注的焦点。尽管有着生产设备昂贵、实现大规模量产困难以及工艺手段相对复杂等需要解决的问题，但由于具备优良电学性能，这两种高效电池仍成为了行业热捧对象。而近年来出现的兼具有HIT电池和IBC电池优良特性的HIBC(Heterojunction Interdigitated Back Contact)电池已被一些研究机构和企业重视并研究。

现有技术中常用的HIBC电池的结构包括硅衬底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层以及电极，该本征非晶硅层和掺杂非晶硅层依次设置在硅衬底上，该电极连接到掺杂非晶硅层。而该HIBC电池的结构具有以下缺点：掺杂非晶硅层会使本征非晶硅层中的Si-H键裂变能力降低，使本征非晶硅层中的缺陷增加，钝化能力下降；本征非晶硅层的引入使得该HIBC电池的串联电阻增加，填充因子下降；采用等离子体增强化学气相沉积工艺(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)沉积本征非晶硅层时会产生外延硅，从而损害本征非晶硅层与硅衬底的界面性能，使得钝化能力下降，由此使得该HIBC电池的光电转换效率下降。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种HIBC电池，通过在所述HIBC电池的硅衬底以及设置在所述硅衬底的背表面一侧的第一本征非晶硅层之间设置一层氢化非晶氧化硅层，来解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采取了以下的技术方案：

一种HIBC电池，包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。

优选地，所述HIBC电池还包括第二本征非晶硅层、N型非晶硅层以及减反射膜层，所述第二本征非晶硅层、N型非晶硅层以及减反射膜层依次设置在所述硅衬底的正表面上。

优选地，所述减反射膜层为氮化硅薄膜。

优选地，所述HIBC电池还包括设置在所述掺杂非晶硅层上的透明导电膜层，所述电极通过所述透明导电膜层与所述掺杂非晶硅层连接。

优选地，所述掺杂非晶硅层包括N型非晶硅区和P型非晶硅区，所述电极通过所述透明导电膜层分别收集所述N型非晶硅区以及P型非晶硅区的电流。

优选地，所述N型非晶硅区和所述P型非晶硅区在所述第一本征非晶硅层上排列为叉指式PN结。

优选地，所述氢化非晶氧化硅层的厚度为1～10nm。

优选地，所述硅衬底为N型单晶硅衬底。

本实用新型实施例提供的一种HIBC电池，通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置一层氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，提高了所述HIBC电池的光电转换效率。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的HIBC电池的结构示意图；

图2a-图2e是本实用新型实施例提供的HIBC电池在其制备方法中，各个步骤获得的结构的示例性图示。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本实用新型的实施方式仅仅是示例性的，并且本实用新型并不限于这些实施方式。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本实用新型，在附图中仅仅示出了与根据本实用新型的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本实用新型关系不大的其他细节。