[实用新型]一种光敏二极管有效
| 申请号： | 201720805733.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN207265066U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张浩 | 申请（专利权）人： | 深圳通感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/102 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人： | 林俭良,高瑞 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田区红*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光敏二极管,其包括底座、位于所述底座上的管体以及设置在管体内的光电传感器，该光电传感器包括基材、设置在所述基材上的光电传感器芯片；该基材包括位于底面的焊接面、与所述焊接面垂直的光接收面以及位于所述基材顶部与所述焊接面平行的打线面；所述焊接面贴合所述底座以实现所述基材与所述底座焊接；所述光电传感器芯片设置在所述光接收面。本实用新型的光敏二极管的光接收面与打线面在不同的平面上，焊接面在底面便于将该光电传感器进行安装，另外，因光接收面与该光敏二极管底面垂直，可以无需将该光电传感器倾斜一定的角度，提高了该光电传感器的封装效率以及提高了该光电传感器的稳定性，进而提高了该光敏二极管的灵敏性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光敏 二极管 | ||
【主权项】：
一种光敏二极管，包括底座、位于所述底座上的管体以及设置在管体内的光电传感器(10)，其特征在于，所述光电传感器(10)包括基材(11)、设置在所述基材(11)上的光电传感器芯片(12)；所述基材(11)包括位于底面的焊接面(112)、与所述焊接面(112)垂直的光接收面(113)以及位于所述基材(11)顶部与所述焊接面(112)平行的打线面(111)；所述焊接面(112)贴合所述底座以实现所述基材(11)与所述底座焊接；所述光电传感器芯片(12)设置在所述光接收面(113)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
