[实用新型]一种光敏二极管有效
申请号: | 201720805733.1 | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN207265066U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 张浩 | 申请(专利权)人: | 深圳通感微电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人: | 林俭良,高瑞 |
地址: | 518034 广东省深圳市福田区红*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光敏 二极管 | ||
1.一种光敏二极管,包括底座、位于所述底座上的管体以及设置在管体内的光电传感器(10),其特征在于,所述光电传感器(10)包括基材(11)、设置在所述基材(11)上的光电传感器芯片(12);所述基材(11)包括位于底面的焊接面(112)、与所述焊接面(112)垂直的光接收面(113)以及位于所述基材(11)顶部与所述焊接面(112)平行的打线面(111);所述焊接面(112)贴合所述底座以实现所述基材(11)与所述底座焊接;所述光电传感器芯片(12)设置在所述光接收面(113)。
2.根据权利要求1所述的光敏二极管,其特征在于,所述管体还包括由所述管体内侧壁围成的腔室以及设置在所述腔室顶部的透镜;所述光电传感器(10)设置在所述腔室中且位于所述透镜的下方。
3.根据权利要求2所述的光敏二极管,其特征在于,所述透镜呈椭圆球状,所述打线面(111)位于所述透镜下方。
4.根据权利要求1所述的光敏二极管,其特征在于,所述打线面(111)上设有打线区(1111);所述打线区(1111)上设有金属线。
5.根据权利要求1所述的光敏二极管,其特征在于,所述光敏二极管还包括设置在底座上朝顶部延伸的第一电极柱和第二电极柱。
6.根据权利要求5所述的光敏二极管,其特征在于,所述第一电极柱为阳极柱,所述第二电极柱为阴极柱;所述光电传感器(10)位于所述第一电极柱和所述第二电极柱之间,且所述光接收面(113)与所述第一电极柱和所述第二电极柱平行且朝向所述第一电极柱和所述第二电极柱相对设置。
7.根据权利要求6所述的光敏二极管,其特征在于,所述光电传感器 (10)还包括正极连接件和负极连接件;所述正极连接件和负极连接件分开设置在所述的光电传感器的侧面或者所述打线面(111)上,所述正极连接件和所述负极连接件通过金属片连接。
8.根据权利要求1所述的光敏二极管,其特征在于,所述基材(11)的材质为陶瓷或者其他绝缘性材质。
9.根据权利要求7所述的光敏二极管,其特征在于,所述正极连接件与所述第一电极柱连接,所述负极连接件与所述第二电极柱连接。
10.根据权利要求1所述的光敏二极管,其特征在于,所述光电传感器芯片(12)呈圆形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的