[实用新型]具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池

摘要

本实用新型提供一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极；本实用新型电池背面采用p++型硅膜层与n型晶体硅片形成的异质结发射极具有较低复合电流密度；n++型硅膜层既能与p++型硅膜层形成遂穿复合结有效传输光生电流，又能与金属背电极直接形成良好的欧姆接触。

主权项

1.一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极。