[实用新型]自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统有效
申请号: | 201720724767.8 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN207062372U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 傅林坚;石刚;洪昀;祝广辉;王伟星;吴威;高振波 | 申请(专利权)人: | 绍兴上虞晶信机电科技有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/34;C23C16/455 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 312300 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及薄膜制备装置,旨在提供自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统。该种自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统包括预热腔、氧化铝工艺腔、缓冲腔、氮化硅工艺腔、卸料腔,用于对电池片镀氧化铝和氮化硅叠层薄膜。本实用新型能够在太阳能电池片表面镀氧化铝和氮化硅叠层薄膜,氧化铝薄膜能够对电池片起到钝化的作用,氮化硅薄膜能够起到减反的作用,不仅能大幅度的提高产能,并且叠层薄膜能够在一定程度上提高电池片的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 自动 平板 pecvd 氧化铝 氮化 硅叠层 薄膜 制备 系统 | ||
【主权项】:
一种自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统,用于对电池片镀氧化铝和氮化硅叠层薄膜,其特征在于,所述自动平板式PECVD氧化铝与氮化硅叠层薄膜制备系统包括预热腔、氧化铝工艺腔、缓冲腔、氮化硅工艺腔、卸料腔;所述预热腔采用铝制腔体,铝制腔体的内部安装有加热灯管,用于对电池片进行初步加热;所述氧化铝工艺腔采用不锈钢腔体,不锈钢腔体内部安装有加热管A、工艺气体喷气口A、微波源A,所述加热管A用于对电池片进行充分加热,所述工艺气体喷气口A用于作为三甲基铝、一氧化二氮的喷气口,所述微波源A能通过激发等离子体为工艺气体在低温下反应生成氧化铝提供条件;所述缓冲腔采用铝制中空腔体,设置在氧化铝工艺腔与氮化硅工艺腔之间,用于进行过渡;所述氮化硅工艺腔采用不锈钢腔体,不锈钢腔体内部安装有加热管B、工艺气体喷气口B、微波源B,所述加热管B用于电池片进行充分加热,所述工艺气体喷气口B用于作为硅烷、氨气的喷气口,所述微波源B能通过激发等离子体为工艺气体在低温下反应生成氮化硅提供条件;所述卸料腔为铝制中空腔体,用于对电池片进行冷却:通过对卸料腔抽真空并同时通入高纯氮气来实现;预热腔、氧化铝工艺腔、缓冲腔、氮化硅工艺腔、卸料腔分别通过螺栓安装在各自的机架上,并依次利用螺栓相邻连接;预热腔的前端设有翻板阀,用于阻断大气与预热腔之间的气体流通;预热腔与氧化铝工艺腔之间设有翻板阀,用于阻断预热腔与氧化铝工艺腔之间的气体流通;缓冲腔的两端都安装有翻板阀,分别用于阻断缓冲腔与氧化铝工艺腔、氮化硅工艺腔之间的气体流通;氮化硅工艺腔与卸料腔之间设有翻板阀,用于阻断卸料腔与氮化硅工艺腔之间的气体流通;卸料腔的后端设有翻板阀,用于阻断卸料腔与大气之间的气体流通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的