[实用新型]晶闸管分支满布N+放大门极有效
| 申请号： | 201720696450.8 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN206864475U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王正鸣;高山城;郭永忠;张猛 | 申请（专利权）人： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司61100 | 代理人： | 彭冬英 |
| 地址： | 710077*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 分支 满布 大门 | ||
【主权项】：
晶闸管分支满布N+放大门极，其特征在于：从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区(1)、N+型环形放大门极区(2)、N+型枝条放大门极区(3)、P型放大门极区(4)、N+型主晶闸管有效阴极区(5)、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点(6)及边缘P型台面区(7)，N+型环形放大门极区(2)和N+型枝条放大门极区(3)枝条内设有N+掺杂形成放大门极或前置晶闸管的有效阴极，使辅助晶闸管的有效阴极延枝条充分扩展，放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域由围绕中心P型门极区(1)的N+型环形放大门极区(2)和深入到阴极部分均分主晶闸管阴极区域的N+型枝条放大门极区(3)组成，边缘P型台面区(7)位于芯片的最外端,与N+型主晶闸管有效阴极区(5)相连接。
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