[实用新型]一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器有效
| 申请号： | 201720678138.6 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206820250U | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 卫思逸;李马惠;潘彦廷;刘拓;陈发涛;冯旭超;赵小亮;杨旗;韦盼;孙娟娟 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 结构 吸收 激光器 | ||
【主权项】：
一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，其特征在于，包括衬底(1)和设置在衬底(1)底面的N面电极层(11)，衬底(1)上从下至上依次设置有量子阱膜层(2)、蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)；其中，蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)通过中段位置刻蚀的隔离区分为左右不连的两部分，蚀刻阻挡层(4)、载体终止层(7)和接触层(8)的断面处、接触层(8)的顶面处以及隔离区的底面处均覆盖有绝缘层(9)；量子阱膜层(2)包括处于同层的第一量子阱(21)和第二量子阱(22)；绝缘层(9)上设置有通过隔离区分开的两P面电极层(10)。
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